第391章 項目

 “將晶圓切片進行初步加工得到晶圓，接下來將光罩上的電路圖刻蝕到晶圓上，一般情況下，這些技術工序都會由晶圓代工廠完成。 

 畢竟像擴散、薄膜生長、光刻、刻蝕、離子注入、拋光等工序都不是單一的企業、機構可以輕易做出來的，我們將其鋪開的話，就需要有對應的設備。 

 比如擴散爐、氧化爐、Cvd\pvd設備、清洗設備、光刻機、刻蝕系統、離子注入機、拋光機等高精尖儀器設備。 

 而且作為半導體生產流程的直接生產環境，晶圓加工步驟並不僅僅是這一些程序，每一道程序需要的技藝與我們組裝電視機、手機相比，只會更加精密。 

 除此之外，這些程序工藝的設備要求極高，我們大夏聯邦目前還不具備完整生產能力，比如光刻、離子注入和拋光等工藝設備，我們有的基本都是上世紀的老裝備。 

 剛剛我拿到了一堆咱們大夏聯邦目前發展比較優秀的半導體企業名單，雖然對方吹得天花亂墜，但是實際調查下來，這些公司當中只有小部分還算可以合作，其他公司基本都是成品組裝和稍微改裝工藝，在設備與工藝技術自主這個領域，不能說完全沒有自主權，只能說它們可以自主控制的技術，基本都已經不在一線甚至不在二線領域。 

 摩爾定律雖然並不是那麼嚴謹，但是在十納米之前，也能夠勉強適合研發環境，一年半的時間，集成電路芯片的晶體管數量將增加一倍，技術持續發展下集成電路線寬不斷縮小，不僅芯片的製程會越來越高，芯片半導體的設備投資也會呈指數級上升趨勢。 

 目前國外已經有公司在研發四十納米半導體產線，其中設備投資高達數十億美元。 

 去年，阿斯麥和臺積電共同研發的浸沒式光刻機雖然不足以實現芯片更加精細化的處理，但是阿斯麥和阿美瑞克的國立實驗室、頂尖院校、公司在內的50多個單位，剛剛在這段時間完成了對極紫外光源的研發。