第393章 落子二（一根）

 不過楊剛省的擔憂，在周瑜的講述之後，很快就散去了不少。 

 “光刻膠這個材料，雖然極其重要，但是必須綜合評價各性能指標與客戶需求匹配性。 

 在我瞭解的情況當中，光刻膠廠商在一個型號或者一個系列的光刻膠目錄下，有十幾個甚至幾十個品種，以滿足不同客戶的需求。 

 因此光刻膠性能好壞並不能簡單的以各個指標的絕對值進行判斷，還須經過充足的光刻工藝評估，符合客戶需求的，才是最優秀的材料，所以我們不僅需要開發光刻膠，還需要足夠了解光刻膠的成員與各芯片代工企業溝通，知道材料的偏性。 

 而且按照光照後顯影時與顯影液產生的化學反應劃分，它還可以分為正膠與負膠。正膠的光敏成分在光照下會分解成為短鏈結構，從而在顯影環節中會被顯影液去除，因此在光線照到的區域，會被顯影液去除，在蝕刻過程中光照到的區域會被等離子化氣體蝕刻去除，最終留下的圖樣是曝光工序中光線所沒有照到的區域。 

 負膠與正膠的圖形轉移過程找好相反。聚合物的短鏈分子在光照條件下發生聚合反應，形成難以被顯影液除去的聚合體系，未被光照的區域光刻膠被去除，在後續的刻蝕中被移除，形成與掩模板上相反的結構。 

 對於正膠與反膠而言，雖然進入duv時代以後，正膠成為了絕對的主流，但這並不意味著負膠的性能落後於正膠。 

 不過現在euv光刻機進入真正的高端代工產業，臺積電肯定要解決光源強度不足的問題，化學放大光刻膠或將成為主流。 

 化學放大型光刻膠主要組分擺闊成膜樹脂、光致產酸劑、添加劑、溶劑。 

 由於化學放大型光刻膠的量子效率遠遠高於其他體系，因此化學放大反應也幾乎成為了深紫外時代以來光刻膠配方設計的唯一路線。 

 楊剛省主管曾經在臺積電的光刻膠項目工作過，不過現在已經過了競業協議期，並且參與的也是新技術開發，所以，您願意帶領團隊，繼續在光刻膠這個行業奮鬥嗎？”