第410章 好事成雙

 “拋光的時候，下盤在電動機的帶動下轉動，粘有硅片的平板可繞本身的軸轉動，保證了拋光的均勻。 

 從下盤的中-央注入拋光液，也是我們研發的自主專利技術產品，拋光液可以在離心力作用下向周圍散開。 

 在拋光過程中，旁邊的測溫儀會精準控制盤溫，在摩擦產生的熱量的促進下，拋光液中的oh-根使硅片表面氧化，同時拋光液中的拋光粉顆粒將氧化層磨去，從而起到了將硅片表面逐漸拋光的作用。” 

 李毅風簡單講了一下他們確定的拋光工藝流程。 

 與光刻膠不同，拋光工藝考的就是一個材料精密和膽大心細，所以周瑜並沒有過多深入這個項目，而是在給了技術參數相關文件之後，就當起了甩手掌櫃。 

 “按照您給出的文件標準，晶圓需要經過邊緣粗拋和表面精拋兩次加工處理，其表面才能達到芯片製造的工藝要求。 

 但是在實際實驗的過程中，我們發現國外那個實驗室這樣做的原因其實是對成本的取捨。 

 邊緣拋光的目的是去除硅片表面殘留的機械損傷，降低微粒附著於晶圓的可能性，並使晶圓具有較佳的機械強度，以降低因碰撞而產生碎片的可能性，我們將邊緣拋光的時間拉長，並且增加了更精密的壓力傳感器之後，已經夠達到從晶圓表面去除20um（微米）到10um（微米）左右厚度的技術標準? 

 第二次精拋，目的是去除第一次拋光在硅片表面留下的輕微損傷和雲霧狀缺陷，這一個流程非常難處理，後續我們也是找設備研發部門，花費巨資購買了一臺拋光機，拆分研究，逆向工程之後，才發現了其中奧秘。 

 最終的拋光步驟並不是只有一層拋光那麼簡單。 

 我們需要進行化學腐蝕和機械摩擦的結合，晶圓被裝在旋轉的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉，我們研發的二氧化硅拋光液必須要懸浮在適度的含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上，讓鹼性拋光液在晶圓表面生成一薄層二氧化硅。