第411章 第四百一十二：晶體培育(第3頁)

 周瑜在李明偉感慨的時候，就透過觀察玻璃，看著實驗室裡面一位身影年輕的女性研究員在操作著設備。 

 “設備的主體還是這個石英坩堝，由帶射頻波的線圈環繞來加熱，主要還是我們沒有穩定的優秀電流加熱器來進行加熱。 

 首先將多晶和摻雜物加熱到液態，接著將籽晶安置

到剛接觸到液麵，籽晶是具有和所需晶體相同晶向的小晶體，可由化學氣相的技術製造。 

 還有工廠實際生產的話，也可以拿之前生長的單晶重複使用，這就是直拉法。 

 當籽晶從熔融物中慢慢上升時，晶體生長才剛剛開始，籽晶和熔融物間的表面張力致使一層熔融物的薄膜附著到籽晶上然後冷卻。 

 在冷卻過程中，在熔化的半導體材料的原子定向到籽晶一樣的晶體結構，籽晶的定向在生長的晶體中傳播。在熔融物中的摻雜原子進入生長的晶體中，生成n型或者p型這兩種晶體。 

 您給出的文件當中，國外實驗室為了實現均勻摻雜、完美晶體和直徑控制，籽晶和坩堝在整個晶體生長過程中以相反的方向旋轉，工藝控制需要一套複雜的反饋系統，綜合轉速、拉速及熔融物溫度參數。 

 如果不是軟件工程部門和設備研發部門都派來工程師，以及您和其他工程師的幫助，我們根本研發不了這一套複雜的反饋系統。 

 晶體只要是生長的，就不可能是真的完美無缺的，但是在半導體器件中，晶體缺陷會引起有害的漏電流，會導致器件無法正常工作。 

 所以我們還在開發缺陷檢測系統。”