第740章 秦總指導路線,從來沒錯過!
“秦總,有這筆錢就足夠了,一年之內,我們就能搞出193納米的arf光刻機,如果使用多重曝光技術,這種光刻機可以一直用到90納米,但是,在下一代65納米的工藝節點上,這種光刻機就被限制住了。”
大部分人都知道,製造芯片會被光刻機卡脖子,但是究竟怎麼卡脖子,並不是很清楚。
製造芯片,本質上就是在硅片上刻蝕電路,經過多年發展,光刻法已經徹底成熟了,這就和照相機一樣,在硅片上抹一層光刻膠,然後用光刻機把對應的光刻膠燒掉,就像是照相機底片感光一樣,從而把電路圖做出來。
沒錯,光刻機只是像是複印機一樣,把電路圖複製在硅片上,接下來還會有刻蝕機,根據光刻出來的電路圖,在硅片上用化學手段做出mos管來,從而做出一個個電路。
光刻是最重要的一步,光刻機的技術進步,也會推動芯片製造工藝的進步。
而光刻機之中,光源的波長很重要。
早些年使用的是紫外光源,從波長436納米的g線到波長365納米的i線,發展到了深紫外光源,也就是波長248納米的krf和波長193納米的arf,到這裡,技術止步了!
“目前193納米的光源,使用多次曝光技術,可以把工藝推進到90納米,幾乎所有人都認為,193納米的光刻機,是無法延伸到65納米技術節點的,如果繼續改進製程,那就需要在光源上做手腳。”
別看徐教授這幾年在造光盤,但是,他從來就沒有離開過自己真正喜愛的光刻機!一直都在關注光刻機技術的進步!
己方現在可以造arf光源的光刻機,接下來的技術路線怎麼解決?
光刻機的波長越小,就代表著光源越細,光刻電路也會越細,芯片的技術製程才能推進一大步。
“目前,行業內一共有兩種技術路線,尼康、佳能這些老牌公司,主張使用157納米的氟氣準分子激光作為光源,全新的euv llc聯盟主張使用極紫外激光器技術,也就是euv光源,直接把技術路線迭代到十納米以下。但是……”