第740章 秦總指導路線，從來沒錯過！

 “秦總，有這筆錢就足夠了，一年之內，我們就能搞出193納米的arf光刻機，如果使用多重曝光技術，這種光刻機可以一直用到90納米，但是，在下一代65納米的工藝節點上，這種光刻機就被限制住了。”

 大部分人都知道，製造芯片會被光刻機卡脖子，但是究竟怎麼卡脖子，並不是很清楚。

 製造芯片，本質上就是在硅片上刻蝕電路，經過多年發展，光刻法已經徹底成熟了，這就和照相機一樣，在硅片上抹一層光刻膠，然後用光刻機把對應的光刻膠燒掉，就像是照相機底片感光一樣，從而把電路圖做出來。

 沒錯，光刻機只是像是複印機一樣，把電路圖複製在硅片上，接下來還會有刻蝕機，根據光刻出來的電路圖，在硅片上用化學手段做出mos管來，從而做出一個個電路。

 光刻是最重要的一步，光刻機的技術進步，也會推動芯片製造工藝的進步。

 而光刻機之中，光源的波長很重要。

 早些年使用的是紫外光源，從波長436納米的g線到波長365納米的i線，發展到了深紫外光源，也就是波長248納米的krf和波長193納米的arf，到這裡，技術止步了！

 “目前193納米的光源，使用多次曝光技術，可以把工藝推進到90納米，幾乎所有人都認為，193納米的光刻機，是無法延伸到65納米技術節點的，如果繼續改進製程，那就需要在光源上做手腳。”

 別看徐教授這幾年在造光盤，但是，他從來就沒有離開過自己真正喜愛的光刻機！一直都在關注光刻機技術的進步！

 己方現在可以造arf光源的光刻機，接下來的技術路線怎麼解決？

 光刻機的波長越小，就代表著光源越細，光刻電路也會越細，芯片的技術製程才能推進一大步。

 “目前，行業內一共有兩種技術路線，尼康、佳能這些老牌公司，主張使用157納米的氟氣準分子激光作為光源，全新的euv llc聯盟主張使用極紫外激光器技術，也就是euv光源，直接把技術路線迭代到十納米以下。但是……”