第647章 芯片製程(第2頁)

 “我們榮耀科技必須要拿到半導體革新之後的第一代可商用芯片！” 

 “不知道這樣換設備之後，成本會增加多少，如果芯片售價還算可以的話，或許今年就可以開始著手相關智能手機項目的推進工作了。” 

 李賢審十分耐心的等待這些位企業高管層梳理好內心的情緒和思緒之後，才接著開口說道：“根據我們對因特爾的芯片代工工藝研究，在進入五十納米制程之後，各大芯片代工廠商的芯片製程技術和標準就有了一些微妙的變化。 

 比如韓星電子集團的芯片代工工藝，與臺積電的芯片代工工藝，它們兩者代工同樣一顆芯片，臺積電的芯片明顯製程更加先進，更加趨近於標準納米。 

 這是因為標準不同。 

 有一些晶圓廠引入了接觸柵間距作為芯片的命名方式，也就是接觸柵間距是指芯片中兩個接觸柵之間的距離，它可以直觀地反映出芯片的工藝水平和特性。 

 現今不少晶圓代工廠在命名芯片工藝時經常會採用自定義的納米數，這些納米數更多地與接觸柵間距有關。 

 不同的晶圓廠可能採用不同的自定義納米數，這也給芯片工藝的比較帶來了一定程度的困難。 

 大家可以看這個ppt，如果這家企業的代工芯片接觸柵間距為50納米，那麼按照這些數據，我們可以推測該芯片的工藝，對外宣傳時應該是30納米左右的製程。” 

 這一個科普，又讓某些手機廠商的高管層們驚訝不已。 

 他們這部分雖然是智能手機這個行業的精英，但並不代表他們什麼都懂。 

 有些時候，一些網友對某些項目零部件的見解，比他們都優秀。 

 在看到ppt上面的各家代工企業的芯片技術規格和實際宣傳的規格對比，他們都發現夏芯國際的芯片是最接近真實代工工藝的。 

 “或許，這就是為什麼明面上看夏芯國際一直都落後臺積電一步半步，但夏芯國際的芯片，每次都能夠勝過臺積電的原因吧。”